CEI EN 62417 PDF

La presente Norma si occupa dei dispositivi a semiconduttore ed in particolare delle prove con ioni mobili per transistori ad effetto campo.
Viene fornita una procedura di prova a livello di wafer per determinare la quantità di carica mobile positiva nello strato di ossido nei semiconduttori ad effetto di campo metallo-ossido.
La prova è applicabile ai transistori con effetto campo sia attivo che parassita.
La carica mobile può causare un degrado per i dispositivi microelettronici .
Questa Norma viene pubblicata dal CEI nella sola lingua inglese in quanto particolarmente mirata a settori specialistici.
La presente Norma recepisce il testo originale inglese della Pubblicazione IEC.